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CMOS全谱直读光谱仪购买
CMOS全谱直读光谱仪购买，Innovate T5型全谱直读光谱仪采用标准的设计和制造工艺技术，应用了日本滨松公司进的CMOS信号采集元件，每块CMOS都可以单独设值火花个数，与光谱仪*技术同步，采用真空光室设计及全数字激发光源。这款CMOS全谱直读光谱仪，既包含了CCD光谱仪的全谱特性，又具备PMT光谱仪对非金属元素的极低检出限，整机设计合理，操作简单易学，具有数据精准，*稳定性好等优点。
应用领域
冶金、铸造、机械、科研、商检、汽车、石化、造船、电力、航空、核电、金属和有色冶炼、加工和回收工业中的各种分析。
可检测基体
铁基、铜基、铝基、镍基、钴基、镁基、钛基、锌基、铅基、锡基、银基。
主要技术参数
光学系统：帕型-龙格 罗兰圆全谱真空型光学系统
波长范围：140~680nm
光栅焦距：401mm
探测器：高性能CMOS阵列/CCD阵列
光源类型：数字光源，高能预燃技术（HEPS）
放电频率：100-1000Hz
放电电流：500A
工作电源：AC220V 50/60Hz1000W
仪器尺寸：780*565*360mm
仪器重量：78kg
检测时间：依据样品类型而定，一般20S左右
电极类型：钨材喷射电极
分析间隙：4mm
其他功能：真空，温度，软件自动控制；压力，通讯监测
主要特点
高性能光学系统
采用高精度的CMOS元件可精确测定非金属元素如C、P、S、As、B、N以及各种金属元素含量；测定结果精准，重复性及*稳定性。
自动光路校准
自动光路校准，光学系统自动进行谱线扫描，确保接收的正确性，免除繁琐的波峰扫描工作；
仪器自动识别特定谱线与原存储线进行对比，确定漂移位置，找出分析线当前的像素位置进行测定。
插拔式透镜设计
真空光学系统采用*的入射窗与真空隔离，可在真空系统工作状态下进行操作，光学透镜采用插拔式透镜结构，日常清洗维护方便快捷。
真空防返油技术
多级隔离的真空防返油技术，采用真空压差阀门保证真空泵不工作时真空光室与真空完全隔离；中间增加了真空滤油装置，确保真空泵中油不进入真空室，保障CMOS检测器及光学元件在可靠环境中工作。
开放式激发台
开放式激发台机灵活的样品夹设计，以满足客户现场的各种形状大小的样品分析；配合使用小样品夹具，线材***低分析可达到3mm。
喷射电极技术
采用进的喷射电极技术，使用钨材料电极，在激发状态下，电极周围会形成氩气喷射气流，这样在激发过程中激发点周围不会与外界空气接触，提高激发精度；配上*氩气气路设计，大大降低了氩气使用量，也降低客户使用成本。
集成气路模块
气路系统采用气路模块免维护设计，替代电磁阀和流量计，电极自吹扫功能，为激发创造了良好的环境。
数字化激发光源
数字激发光源，采用***为*的等离子激发光源，超稳定能量释放在氩气环境中激发样品；可任意调节光源的各项参数，满足各种不同材料的激发要求。
高速数据采集
仪器采用高性能CMOS检测元件，具有每块CMOS单独超高速数据采集分析功能，并能自动实时监测控制光室温度、真空度、氩气压力、光源、激发室等模块的运行状态。
以太数据传输
计算机和光谱仪之间使用以太网卡和TCP/IP协议，避免电磁干扰，光纤老化的弊端，同时计算机和打印机完全外置，方便升级和更换；可以远程监控仪器状态，多通路操控系统控制和监控所有的仪器参数。
预制工作曲线
备有不同材质和牌号的标样库，仪器出厂时工厂预制工作曲线，方便安装调试和及时投入生产；根据元素和材质对应的分析程序而稍有差异，激发和测试参数仪器出厂时已经调节好，根据分析程序可自动选择***优测试条件。
分析速度快
分析速度快，仅需20秒即可完成一次分析；针对不同的分析材料，通过设置预燃时间及测量时间，使仪器用***短时间达到***优的分析效果。
多基体分析
光路设计采用罗兰圆结构，检测器上下交替排列，保证接收全部的谱线，不增加硬件设施，即可实现多基体分析；便于根据生产的需要增加基体及材料种类和分析元素（无硬件成本）。
软件中英文系统
仪器软件操作简单，完全兼容于Windows7/8/10系统。
